Los MOSFET de potencia HEXFET avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto que caracterizan a los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo sumamente eficiente y fiable para una amplia variedad de aplicaciones. El encapsulado TO-220 es el preferido universalmente para todas las aplicaciones comerciales e industriales con niveles de disipación de potencia de hasta aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste del encapsulado TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria.
